МОСКВА, 4 марта. /ТАСС/. Российские ученые создали единую технологическую платформу для интеграции мемристорных устройств в отечественный процесс производства современных кремниевых чипов. Это открывает возможности для производства в РФ перспективной мемристорной памяти RRAM, сообщила в понедельник пресс-служба Национального центра физики и математики (НЦФМ).
«Ученые разработали и реализовали топологию интегральной схемы для производства в России прототипа чипа перспективной энгергонезависимой памяти RRAM на основе сочетания традиционной кремниевой технологии в части управляющих схем и новых технологий хранения информации, разработанных в рамках научной программы НЦФМ», — говорится в сообщении.
Российским ученым из научной кооперации Национального центра физики и математики при поддержке Росатома удалось создать подход, который позволяет использовать верхние слои металлизации в классических кремниевых микрочипах для размещения в них мемристоров. Они представляют собой особые резисторы с эффектом памяти, чье электрическое сопротивление зависит от того, как до этого через него проходил ток.
Эта особенность мемристоров позволяет использовать их для разработки рукотворных аналогов нервных окончаний. Также их можно применять и в качестве основы для очень экономичной, но при этом быстрой памяти, которая сочетает в себе энергонезависимость обычной флэш-памяти и высокую скорость работы оперативной памяти. Как надеются исследователи, созданная ими платформа открывает дорогу для производства в РФ подобных запоминающих устройств.